10-16 June 2018
Dalhousie University
America/Halifax timezone
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POS-40 Propriétés thermochromes des couches minces de VO2 et de VO2 dopées de tungstène (W) par une nouvelle technique.

12 Jun 2018, 18:00
1h 30m
SUB McInnes Hall (Dalhousie University)

SUB McInnes Hall

Dalhousie University

Poster Competition (Graduate Student) / Compétition affiche (Étudiant(e) 2e ou 3e cycle) Condensed Matter and Materials Physics / Physique de la matière condensée et matériaux (DCMMP-DPMCM) DCMMP Poster Session & Finals: Poster Competition and Mingle Session with Industry Partners (28) / Employers | Session d'affiches DPMCM et finales: Concours d'affiches et rencontres avec partenaires industriels et employeurs (28)

Speaker

Komi Kougblenou (Etudiant)

Description

Le dioxyde de vanadium (VO2) est un matériau thermochrome de la famille des oxydes de métaux de transition (OMT) qui présente un intérêt scientifique et industriel majeur. En effet, les couches minces de VO2 sont des semi-conducteurs transparents dans la région infrarouge (IR) à température ambiante et passent à un état métallique hautement réfléchissant autour de la température de transition (Tt) de 68°C. Cette transition de phase réversible dans les couches minces du VO2 s'accompagne de changements de ses propriétés optiques et électriques. Il est possible de réduire cette température de transition en dopant le VO2 avec le tungstène (W).
Dans ce travail, le vanadium est déposé sur le substrat de verre par la technique de pulvérisation cathodique par un magnétron à fréquence radio (RF) en introduisant un débit de gaz argon (50 SCCM). Les films de vanadium sont recuits dans un four (à 500°C) en présence d’un faible débit de gaz oxygène pour former les couches minces du VO2. Ces échantillons du VO2 sont étudiés par les méthodes de caractérisation électriques, optiques, morphologiques et structurales.
Le dopage de tungstène est fait en déposant une couche très mince de W au-dessus de la cible de vanadium à travers un masque. Le vanadium dopé de W est déposé sur le verre par la même méthode de pulvérisation. Les couches minces de vanadium dopé de W obtenues sont ensuite oxydées en W-VO2 par le même processus de recuit. Enfin, ces couches minces ont été caractérisées de la même façon que les couches minces du VO2 non dopées.
On a étudié la corrélation entre le pourcentage de dopage de W et la température de transition. Les résultats initiaux indiquent la possibilité de faire diminuer la température de transition. Ces résultats seront présentés et discutés.

Primary authors

Komi Kougblenou (Etudiant) Bassel Abdel Samad (Université de Moncton) Pandurang Ashrit (Université de Moncton)

Presentation Materials

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