Speaker
Prof.
Fco.Rogelio Palomo Pinto
(Dept. Ingeniería Electrónica, Escuela Técnica Superior de Ingenieros, Universidad de Sevilla)
Description
Where we present TCAD simulations results on the brand new ILGAD device, in two flavours, 300 um and 50 um thickness. Radiation effects in signal formation an particularly in the risign time are considered.
Primary author
Prof.
Fco.Rogelio Palomo Pinto
(Dept. Ingeniería Electrónica, Escuela Técnica Superior de Ingenieros, Universidad de Sevilla)
Co-authors
Dr
Salvador Hidalgo
(Centro Nacional de Microelectrónica de Barcelona)
Dr
Iván Vila
(Instituto de Física de Cantabria)
